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籽晶在副室内有效行程：2100mm20，坩埚升速范围：0.02～1mm/min21，坩埚快速：≥100mm/min22，坩埚在炉内有效行程：400mm23。封头炉盖高度：410mm 速范围：1～40rpm16，籽晶拉速范围：0.2～8mm/min17，籽晶快速：≥350mm/min18。晶体直径：￠6〞～￠8〞10，熔料量： 上炉室尺寸：φ900×9 炉极限真空度：＜3Pa9翻板阀通径：φ280mm 范围：1～30rpm24主机重量：约7500Kg。
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一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体，后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。进一步地，所述加热片10能够上下。加热片10能够上下是为了方便操作人员具体控制保温屏9和上反射屏5的温度，当需要调节保温屏9的温场时，可以加热片10使其更靠近保温屏9，当需要调节上反射屏5的温场时，可以加热片10使其更靠近上反射屏5。
